Изображение служит лишь для справки
2SA1162-GR(TE85L)
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：125 °C
- Rohs Code：No
- Transition Frequency-Nom (fT)：80 MHz
- Manufacturer Part Number：2SA1162GRTE85L
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Toshiba America Electronic Components
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Risk Rank：5.49
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Additional Feature：LOW NOISE
- HTS Code：8541.21.00.95
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：R-PDSO-G3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：PNP
- Power Dissipation-Max (Abs)：0.15 W
- Collector Current-Max (IC)：0.15 A
- DC Current Gain-Min (hFE)：200
- Collector-Emitter Voltage-Max：50 V
- VCEsat-Max：0.3 V
- Collector-Base Capacitance-Max：7 pF
- Power Dissipation Ambient-Max：0.15 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты