2N6770

Name: Infineon 2N6770
Brand: Infineon
Rating: 4.7 (13 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204, HERMETIC SEALED, TO-204, 2 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：HERMETIC SEALED, TO-204, 2 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Минимальная температура работы：-55 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N6770
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.09
Максимальный ток утечки (ID)：12 A
Код JESD-609：e0
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：PIN/PEG
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Нормативная Марка：MILITARY STANDARD (USA)
Код JESD-30：O-MBFM-P2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-204
Максимальный сливовой ток (ID)：12 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.5 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：48 A
Минимальная напряжённость разрушения：500 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：8 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：150 W

Со склада 0

Итого $0.00000