Изображение служит лишь для справки
FGA180N33ATDTU
-
ON Semiconductor
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Turn-on Time-Nom (ton)：101 ns
- Turn-off Time-Nom (toff)：362 ns
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：FGA180N33ATDTU
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：ON Semiconductor
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Risk Rank：5.22
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：LOW CONDUCTION LOSS
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Transistor Application：POWER CONTROL
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Collector Current-Max (IC)：180 A
- Collector-Emitter Voltage-Max：330 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты