Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDD3580
Изображение служит лишь для справки
FDD3580
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 80V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 2500
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Supplier Device Package：TO-252, (D-Pak)
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V, 10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：3.8W (Ta), 42W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Series：PowerTrench®
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：29mOhm @ 7.7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1760 pF @ 40 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：49 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：80 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 2500
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты