Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB160N04S4-02D
Изображение служит лишь для справки
IPB160N04S4-02D
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：6
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：IPB160N04S4-02D
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.83
- Part Package Code：TO-263
- Drain Current-Max (ID)：160 A
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G6
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-263
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：160 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0019 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：640 A
- DS Breakdown Voltage-Min：40 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：220 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：231 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты