Изображение служит лишь для справки
2SC2712-BL(T5L,F,T
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Max：125 °C
- Rohs Code：Yes
- Transition Frequency-Nom (fT)：80 MHz
- Manufacturer Part Number：2SC2712-BL(T5L,F,T
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Toshiba America Electronic Components
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Risk Rank：5.79
- Additional Feature：LOW NOISE
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：R-PDSO-G3
- Configuration：SINGLE
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Power Dissipation-Max (Abs)：0.15 W
- Collector Current-Max (IC)：0.15 A
- DC Current Gain-Min (hFE)：350
- Collector-Emitter Voltage-Max：50 V
- VCEsat-Max：0.25 V
- Collector-Base Capacitance-Max：3.5 pF
- Power Dissipation Ambient-Max：0.15 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты