(0)
Изображение служит лишь для справки
2SC2712-BL(T5L,F,T
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：125 °C
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：80 MHz
- Артикул Производителя：2SC2712-BL(T5L,F,T
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.79
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.15 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.15 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：350
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
- Максимальное напряжение на выходе：0.25 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：3.5 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.15 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
