(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK1489
Изображение служит лишь для справки
2SK1489
-
Toshiba
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR 12 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-21F1B, 3 PIN, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：2-21F1B, 3 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：2SK1489
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.8
- Максимальный ток утечки (ID)：12 A
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：1 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：36 A
- Минимальная напряжённость разрушения：1000 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：200 W
Со склада 8
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
