IPB65R310CFDAXT

Name: Infineon IPB65R310CFDAXT
Brand: Infineon
Rating: 4.9 (11 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3/2
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Прямоходящий ток вывода Id：11.4
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：IPB65R310CFDAXT
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.12
Максимальный ток утечки (ID)：11.4 A
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-263AB
Сопротивление открытого канала-макс：0.31 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：34.4 A
Минимальная напряжённость разрушения：650 V
Канальный тип：N
Рейтинг энергии лавины (Eas)：290 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Со склада 0

Итого $0.00000