IRFE9230

Name: Infineon IRFE9230
Brand: Infineon
Rating: 5 (12 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：15
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：LCC-18
Форма упаковки：CHIP CARRIER
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：IRFE9230
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.1
Максимальный ток утечки (ID)：4 A
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：QUAD
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-CQCC-N15
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：SOURCE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：3.6 A
Сопротивление открытого канала-макс：1.68 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：16 A
Минимальная напряжённость разрушения：200 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：171 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：22 W

Со склада 0

Итого $0.00000