Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSP123L6327XT
Изображение служит лишь для справки
BSP123L6327XT
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 0.37A I(D), 100V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Drain Current-Max (ID)：0.37 A
- Risk Rank：5.74
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Part Life Cycle Code：Active
- Number of Elements：1
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer Part Number：BSP123L6327XT
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain-source On Resistance-Max：6 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：1.48 A
- DS Breakdown Voltage-Min：100 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты