(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные C3M0060065J
Изображение служит лишь для справки
C3M0060065J
-
Cree
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-7
- MOSFET SiC, MOSFET, 60mOhm, 650V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
Date Sheet
Lagernummer 606
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-263-7
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Id - Непрерывный ток разряда：36 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：60 mOhms
- Усв：- 4 V, + 15 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.6 V
- Зарядная характеристика ворот：46 nC
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Распад мощности：136 W
- Режим канала：Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс：10 S
- Чувствительный к влажности：Yes
- Пакетная партия производителя：50
- Время задержки отключения типичного：17 ns
- Время типичного задержки включения：9 ns
- Пакетирование：Tube
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：8 ns
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Продукт：MOSFET
- Высота：9.13 mm
- Длина：10.23 mm
- Ширина：4.57 mm
Со склада 606
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
