Изображение служит лишь для справки
PN3569 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-92-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW
- Date Sheet
Lagernummer 36
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-92-3
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:40 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Максимальный постоянный ток сбора:-
- Распад мощности:625 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:600 MHz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:100 at 30 mA, 1 V
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:300 at 150 mA, 1 V
- Пакетная партия производителя:2500
- Торговое наименование:0
- Серия:PN3569
- Пакетирование:Bulk
- Конфигурация:Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80 V
- Прямоходящий ток коллектора:500 mA
Со склада 36
Итого $0.00000