Изображение служит лишь для справки
PMD16K100 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-3-2
- Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 80Vceo 5.0 20A 40A 500mA 200W
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-3-2
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:100 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Максимальный постоянный ток сбора:40 A
- Распад мощности:200 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:4 MHz
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:300
- Пакетная партия производителя:20
- Торговое наименование:0
- Серия:PMD16K100
- Пакетирование:Tube
- Конфигурация:Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100 V
- Прямоходящий ток коллектора:20 A
Со склада 0
Итого $0.00000