Изображение служит лишь для справки
2N4123 TIN/LEAD
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-92-3
- Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 200mA 625mW
Date Sheet
Lagernummer 11
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-92-3
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：30 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Максимальный постоянный ток сбора：-
- Распад мощности：625 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：250 MHz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：50
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：150
- Пакетная партия производителя：2500
- Монтажные варианты：Through Hole
- РХОС：N
- Серия：2N4123
- Пакетирование：Bulk
- Конфигурация：Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40 V
- Прямоходящий ток коллектора：200 mA
Со склада 11
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты