Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STL19N3LLH6AG
Изображение служит лишь для справки
STL19N3LLH6AG
- STMicroelectronics
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerFLAT-8
- MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageComplete Your Design
- Date Sheet
Lagernummer 7
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:PowerFLAT-8
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:PowerFlat™ (5x6)
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Id - Непрерывный ток разряда:10 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:33 mOhms
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Зарядная характеристика ворот:3.7 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Распад мощности:50 W
- Режим канала:Enhancement
- Квалификация:AEC-Q100
- Пакетная партия производителя:3000
- Время задержки отключения типичного:12.8 ns
- Время типичного задержки включения:2.4 ns
- Состояние продукта:Active
- Максимальная мощность рассеяния:50W (Tc)
- Mfr:STMicroelectronics
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10A (Tc)
- Основной номер продукта:STL19
- Пакет:Bulk
- Пакетирование:Reel
- Серия:STL19N3LLH6AG
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:33mOhm @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:321 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:3.7 nC @ 4.5 V
- Время подъема:2.5 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
Со склада 7
Итого $0.00000