Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF9610STRRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF9610STRRPBF
- Vishay / Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CHANNEL200V
- Date Sheet
Lagernummer 612
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:D²PAK (TO-263)
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Details
- Пакетная партия производителя:800
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:IRF9610
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.8A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Vishay Siliconix
- Максимальная мощность рассеяния:3W (Ta), 20W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:IRF9610STRRPBF
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Ранг риска:5.04
- Максимальный ток утечки (ID):1.8 A
- Пакетирование:MouseReel
- Серия:IRF9610S
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3Ohm @ 900mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:170 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:11 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):200 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):1.8 A
- Сопротивление открытого канала-макс:3 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:7 A
- Минимальная напряжённость разрушения:200 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):20 W
- Характеристика ТРП:-
Со склада 612
Итого $0.00000