(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные 2N5232A TRF TIN/LEAD
Изображение служит лишь для справки
2N5232A TRF TIN/LEAD
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-92-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN 70Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW
Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-92-3
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Распад мощности：625 mW
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：250 at 5 V, 2 mA
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：500 at 5 V, 2 mA
- Пакетная партия производителя：2000
- Серия：2N5232A
- Пакетирование：Reel
- Конфигурация：Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：70 V
- Прямоходящий ток коллектора：100 mA
Со склада 10
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
