JAN2N6338

Name: Microchip JAN2N6338
Brand: Microchip
Rating: 4.5 (15 reviews)

Microchip
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-3-2
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet

Lagernummer 2113

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-3-2
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-3
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：100 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Распад мощности：200 W
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Минимальная температура работы：- 65 C
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：40
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：120
Пакетная партия производителя：1
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：50 µA
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Пакетирование：Tray
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500/509
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：200 W
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 10A, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50µA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.8V @ 2.5A, 25A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：100 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：120 V
Прямоходящий ток коллектора：25 A

Со склада 2113

Итого $0.00000