APT84M50B2

Name: Microchip Technology APT84M50B2
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.5 (7 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
T-MAX-3
MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Date Sheet

Lagernummer 29

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：T-MAX-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：T-MAX™ [B2]
РХОС：Details
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
Id - Непрерывный ток разряда：84 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：65 mOhms
Усв：- 30 V, + 30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
Зарядная характеристика ворот：340 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：1.135 kW
Режим канала：Enhancement
Минимальная прямая транконductанс：65 S
Пакетная партия производителя：1
Время задержки отключения типичного：155 ns
Время типичного задержки включения：60 ns
Вес единицы：0.208116 oz
Пакет：Tube
Основной номер продукта：APT84M50
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：84A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：1135W (Tc)
Состояние продукта：Active
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65mOhm @ 42A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：13500 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：340 nC @ 10 V
Время подъема：70 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-

Со склада 29

Итого $0.00000