PBSS4160PANP-QX

Name: Nexperia PBSS4160PANP-QX
Brand: Nexperia
Rating: 5 (19 reviews)

Nexperia
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
DFN2020-6
Bipolar Transistors - BJT PBSS4160PANP-Q/SOT1118/HUSON6
Date Sheet

Lagernummer 48

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：DFN2020-6
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：6-HUSON (2x2)
РХОС：Details
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：NPN, PNP
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：60 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：7 V
Максимальный постоянный ток сбора：1.5 A
Распад мощности：2 W
Параметр частотно-уровневого продукта fT：125 MHz, 175 MHz
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：70 at 1A, 2 V
Пакетная партия производителя：3000
Партийные обозначения：934664884115
Пакет：Tape & Reel (TR)
Максимальный коллекторный ток (Ic)：1A
Основной номер продукта：PBSS4160
Mfr：Nexperia USA Inc.
Состояние продукта：Active
Пакетирование：Cut Tape
Рабочая температура：150°C (TJ)
Серия：Automotive, AEC-Q101
Конфигурация：Dual
Мощность - Макс：370mW
Тип транзистора：NPN, PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：290 @ 100mA, 2V / 170 @ 100mA, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：220mV @ 100mA, 1A / 340mV @ 100mA, 1A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60V
Частота - Переход：175MHz, 125MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
Прямоходящий ток коллектора：1 A

Со склада 48

Итого $0.00000