Изображение служит лишь для справки
PBSS4160QA-QZ
- Nexperia
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- DFN1010D-3
- Bipolar Transistors - BJT PBSS4160QA-Q/SOT1215/DFN1010D-
- Date Sheet
Lagernummer 48
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:DFN1010D-3
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:DFN1010D-3
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:60 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:7 V
- Максимальный постоянный ток сбора:1.5 A
- Распад мощности:1 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:180 MHz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:85 at 1 A, 2 V
- Пакетная партия производителя:5000
- Партийные обозначения:934664886147
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Cut Tape
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:325 mW
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:230 @ 100mA, 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:235mV @ 100mA, 1A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60 V
- Частота - Переход:180MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
- Прямоходящий ток коллектора:1 A
Со склада 48
Итого $0.00000