2SA2018E3HZGTL

Name: ROHM Semiconductor 2SA2018E3HZGTL
Brand: ROHM Semiconductor
Price: 0.183324 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (13 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
SOT-416-3
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
Date Sheet

Lagernummer 3343

1+： $0.18332
10+： $0.17295
100+： $0.16316
500+： $0.15392
1000+： $0.14521

Zwischensummenbetrag $0.18332

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：SOT-416-3
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：EMT3
РХОС：Details
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：PNP
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：12 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Максимальный постоянный ток сбора：1 A
Распад мощности：150 mW
Параметр частотно-уровневого продукта fT：260 MHz
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：270 at - 10 mA, -2 V
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：680 at - 10 mA, -2 V
Пакетная партия производителя：3000
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Максимальный коллекторный ток (Ic)：500 mA
Основной номер продукта：2SA2018
Mfr：Rohm Semiconductor
Состояние продукта：Active
Пакетирование：MouseReel
Рабочая температура：150°C (TJ)
Серия：Automotive, AEC-Q101
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：150 mW
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：270 @ 10mA, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 200mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：12 V
Частота - Переход：260MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：15 V
Прямоходящий ток коллектора：500 mA

Со склада 3343

1+： $0.18332
10+： $0.17295
100+： $0.16316
500+： $0.15392
1000+： $0.14521

Итого $0.18332