Изображение служит лишь для справки

APT10M19SVRG

Lagernummer 610

  • 1+: $10.81409
  • 10+: $10.20198
  • 100+: $9.62451
  • 500+: $9.07972
  • 1000+: $8.56578

Zwischensummenbetrag $10.81409

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:D3PAK-3
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:D3 [S]
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • РХОС:Details
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:100 V
  • Id - Непрерывный ток разряда:75 A
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:19 mOhms
  • Усв:- 30 V, + 30 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
  • Зарядная характеристика ворот:300 nC
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Распад мощности:370 W
  • Режим канала:Enhancement
  • Пакетная партия производителя:1
  • Вес единицы:0.218699 oz
  • Прямоходящий ток вывода Id:75
  • Пакет:Tube
  • Основной номер продукта:APT10M19
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:75A (Tc)
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Максимальная температура рефлоу:30
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:APT10M19SVRG
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Ранг риска:5.26
  • Максимальный ток утечки (ID):75 A
  • Пакетирование:Tube
  • Серия:POWER MOS V®
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Pure Matte Tin (Sn)
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):245
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Распад мощности:370
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:19mOhm @ 500mA, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 1mA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6120 pF @ 25 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:300 nC @ 10 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):100 V
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.019 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:300 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:100 V
  • Канальный тип:N
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):1500 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Характеристика ТРП:-

Со склада 610

  • 1+: $10.81409
  • 10+: $10.20198
  • 100+: $9.62451
  • 500+: $9.07972
  • 1000+: $8.56578

Итого $10.81409