Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT10M19SVRG
Изображение служит лишь для справки
APT10M19SVRG
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- D3PAK-3
- MOSFET FG, MOSFET, 100V, 0.019_OHM, D3, TO-268, RoHSView in Development Tools Selector
- Date Sheet
Lagernummer 610
- 1+: $10.81409
- 10+: $10.20198
- 100+: $9.62451
- 500+: $9.07972
- 1000+: $8.56578
Zwischensummenbetrag $10.81409
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:D3PAK-3
- Вид крепления:Surface Mount
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:D3 [S]
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:100 V
- Id - Непрерывный ток разряда:75 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:19 mOhms
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Зарядная характеристика ворот:300 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:370 W
- Режим канала:Enhancement
- Пакетная партия производителя:1
- Вес единицы:0.218699 oz
- Прямоходящий ток вывода Id:75
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT10M19
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:75A (Tc)
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная температура рефлоу:30
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:APT10M19SVRG
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.26
- Максимальный ток утечки (ID):75 A
- Пакетирование:Tube
- Серия:POWER MOS V®
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Pure Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):245
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:370
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:19mOhm @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6120 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:300 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100 V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.019 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:300 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Канальный тип:N
- Рейтинг энергии лавины (Eas):1500 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:-
Со склада 610
- 1+: $10.81409
- 10+: $10.20198
- 100+: $9.62451
- 500+: $9.07972
- 1000+: $8.56578
Итого $10.81409