Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT6030BVRG
Изображение служит лишь для справки
APT6030BVRG
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, MOSFET, 600V,TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
- Date Sheet
Lagernummer 28
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:TO-247 [B]
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Id - Непрерывный ток разряда:21 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:300 mOhms
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
- Зарядная характеристика ворот:150 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:298 W
- Режим канала:Enhancement
- Пакетная партия производителя:1
- Вес единицы:0.211644 oz
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT6030
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:21A (Tc)
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tube
- Серия:POWER MOS V®
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:300mOhm @ 10.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3750 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:150 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 28
Итого $0.00000