Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TLM621H
  • Поверхностный монтаж:YES
  • РХОС:Details
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:20 V
  • Id - Непрерывный ток разряда:1 A
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:250 mOhms
  • Усв:- 8 V, + 8 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.2 V
  • Зарядная характеристика ворот:2.4 nC
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Распад мощности:1.6 W
  • Режим канала:Enhancement
  • Пакетная партия производителя:3000
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:CTLDM7120-M621HTRPBFREE
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
  • Ранг риска:5.84
  • Пакетирование:Cut Tape
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Максимальный сливовой ток (ID):1 A
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):1.6 W

Со склада 0

Итого $0.00000