Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CTLDM7120-M621H TR PBFREE
Изображение служит лишь для справки
CTLDM7120-M621H TR PBFREE
- Central Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TLM621H
- MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vds 8.0Vgs 1.0 ID
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TLM621H
- Поверхностный монтаж:YES
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:20 V
- Id - Непрерывный ток разряда:1 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:250 mOhms
- Усв:- 8 V, + 8 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.2 V
- Зарядная характеристика ворот:2.4 nC
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:1.6 W
- Режим канала:Enhancement
- Пакетная партия производителя:3000
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:CTLDM7120-M621HTRPBFREE
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.84
- Пакетирование:Cut Tape
- Код соответствия REACH:compliant
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):1 A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):1.6 W
Со склада 0
Итого $0.00000