Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные C3M0075120D-A
Изображение служит лишь для справки
C3M0075120D-A
-
Cree
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET SiC, MOSFET, 75mOhm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
Date Sheet
Lagernummer 494
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Зарядная характеристика ворот：54 nC
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.6 V
- Усв：- 8 V, + 19 V
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：90 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：32 A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
- Полярность транзистора：N-Channel
- Монтажные варианты：Through Hole
- РХОС：Details
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Распад мощности：136 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：30
- Каналов количество：1 Channel
- Продукт：MOSFET
Со склада 494
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты