Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IQE013N04LM6CGSCATMA1
Изображение служит лишь для справки
IQE013N04LM6CGSCATMA1
Lagernummer 2483
- 1+: $2.48525
- 10+: $2.34458
- 100+: $2.21186
- 500+: $2.08666
- 1000+: $1.96855
Zwischensummenbetrag $2.48525
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:PG-WHTFN-9
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:PG-WHTFN-9-1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Id - Непрерывный ток разряда:31 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.35 mOhms
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Зарядная характеристика ворот:41 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Распад мощности:2.5 W
- Режим канала:Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс:260 S
- Пакетная партия производителя:6000
- Время задержки отключения типичного:21 ns
- Время типичного задержки включения:7.1 ns
- Партийные обозначения:IQE013N04LM6CGSC SP005559058
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:31A (Ta), 205A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta), 107W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:OptiMOS™ 6
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.35mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 51µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3800 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:41 nC @ 10 V
- Время подъема:3.6 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
Со склада 2483
- 1+: $2.48525
- 10+: $2.34458
- 100+: $2.21186
- 500+: $2.08666
- 1000+: $1.96855
Итого $2.48525