R6013VNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R6013VNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
Price: 1.515676 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (6 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220FM-3
MOSFET 600V 8A TO-220FM POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 819

1+： $1.51568
10+： $1.42988
100+： $1.34895
500+： $1.27259
1000+： $1.20056

Zwischensummenbetrag $1.51568

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-220FM-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-220FM
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Id - Непрерывный ток разряда：8 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：300 mOhms
Усв：- 30 V, + 30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5.5 V
Зарядная характеристика ворот：21 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：54 W
Режим канала：Enhancement
Пакетная партия производителя：50
Время задержки отключения типичного：46 ns
Время типичного задержки включения：18 ns
Пакет：Tube
Основной номер продукта：R6013VN
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V, 15V
Mfr：Rohm Semiconductor
Максимальная мощность рассеяния：54W (Tc)
Состояние продукта：Active
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：150°C (TJ)
Серия：-
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：300mOhm @ 3A, 15V
Втс(th) (Макс) @ Id：6.5V @ 500µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：900 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：21 nC @ 10 V
Время подъема：10 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-

Со склада 819

1+： $1.51568
10+： $1.42988
100+： $1.34895
500+： $1.27259
1000+： $1.20056

Итого $1.51568