Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

NXH350N100H4Q2F2S1G-R

Lagernummer 2958

  • 1+: $188.42233
  • 10+: $177.75691
  • 100+: $167.69520
  • 500+: $158.20302
  • 1000+: $149.24813

Zwischensummenbetrag $188.42233

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:Q2PACK-42
  • Вид крепления:Chassis Mount
  • Поставщик упаковки устройства:42-PIM/Q2PACK (93x47)
  • Пакетная партия производителя:12
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:- 20 V, + 20 V
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Распад мощности:731 W
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:1 kV
  • Пакет:Tray
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):303 A
  • Основной номер продукта:NXH350
  • Mfr:onsemi
  • Состояние продукта:Active
  • Пакетирование:Tray
  • Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Серия:-
  • Конфигурация:Three Level Inverter
  • Мощность - Макс:592 W
  • Ввод:Standard
  • Ток - отсечка коллектора (макс):1 mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1000 V
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 375A
  • Тип ИGBT:Trench Field Stop
  • Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
  • Входная ёмкость (Cies) @ Vce:24146 pF @ 20 V
  • Продукт:IGBT Silicon Modules

Со склада 2958

  • 1+: $188.42233
  • 10+: $177.75691
  • 100+: $167.69520
  • 500+: $158.20302
  • 1000+: $149.24813

Итого $188.42233