Изображение служит лишь для справки






NXH350N100H4Q2F2S1G-R
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Q2PACK-42
- IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
Date Sheet
Lagernummer 2958
- 1+: $188.42233
- 10+: $177.75691
- 100+: $167.69520
- 500+: $158.20302
- 1000+: $149.24813
Zwischensummenbetrag $188.42233
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:Q2PACK-42
- Вид крепления:Chassis Mount
- Поставщик упаковки устройства:42-PIM/Q2PACK (93x47)
- Пакетная партия производителя:12
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:- 20 V, + 20 V
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Распад мощности:731 W
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:1 kV
- Пакет:Tray
- Максимальный коллекторный ток (Ic):303 A
- Основной номер продукта:NXH350
- Mfr:onsemi
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tray
- Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:-
- Конфигурация:Three Level Inverter
- Мощность - Макс:592 W
- Ввод:Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс):1 mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1000 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 375A
- Тип ИGBT:Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce:24146 pF @ 20 V
- Продукт:IGBT Silicon Modules
Со склада 2958
- 1+: $188.42233
- 10+: $177.75691
- 100+: $167.69520
- 500+: $158.20302
- 1000+: $149.24813
Итого $188.42233