NVMJST1D3N04CTXG

Name: ON Semiconductor NVMJST1D3N04CTXG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (13 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TCPAK-10
MOSFET TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Date Sheet

Lagernummer 3585

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TCPAK-10
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：10-TCPAK
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Id - Непрерывный ток разряда：386 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.39 mOhms
Усв：- 20 V, + 20 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
Зарядная характеристика ворот：65 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Распад мощности：375 W
Режим канала：Enhancement
Минимальная прямая транконductанс：145 S
Пакетная партия производителя：3000
Время задержки отключения типичного：36 ns
Время типичного задержки включения：15 ns
Состояние продукта：Active
Максимальная мощность рассеяния：375W (Tc)
Mfr：onsemi
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：386A (Tc)
Основной номер продукта：NVMJST1D
Пакет：Tape & Reel (TR)
Серия：NVMJST1D3N04C
Пакетирование：Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.39mOhm @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 170µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4300 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：65 nC @ 10 V
Время подъема：47 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Характеристика ТРП：-

Со склада 3585

Итого $0.00000