NVBG089N65S3F

Name: ON Semiconductor NVBG089N65S3F
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (9 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
D2PAK-7L
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Date Sheet

Lagernummer 999

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：D2PAK-7L
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：D2PAK-7
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Id - Непрерывный ток разряда：37 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：89 mOhms
Усв：- 30 V, + 30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
Зарядная характеристика ворот：74 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：291 W
Режим канала：Enhancement
Минимальная прямая транконductанс：21 S
Пакетная партия производителя：800
Время задержки отключения типичного：81 ns
Время типичного задержки включения：34 ns
Пакет：Tape & Reel (TR)
Основной номер продукта：NVBG089
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：37A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：onsemi
Максимальная мощность рассеяния：291W (Tc)
Состояние продукта：Active
Серия：NVBG089N65S3F
Пакетирование：Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：89mOhm @ 18.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 970µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3598 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：74 nC @ 10 V
Время подъема：26 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Характеристика ТРП：-

Со склада 999

Итого $0.00000