Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVLJWS5D0N03CLTAG
Изображение служит лишь для справки
NVLJWS5D0N03CLTAG
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- WDFNW-6
- MOSFET T6 30V LL 2X2 WDFNW6
- Date Sheet
Lagernummer 2439
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:WDFNW-6
- Вид крепления:Surface Mount, Wettable Flank
- Поставщик упаковки устройства:6-WDFNW (2.05x2.05)
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Id - Непрерывный ток разряда:77 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:6.6 mOhms
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Зарядная характеристика ворот:9 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Распад мощности:45 W
- Режим канала:Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс:44 S
- Пакетная партия производителя:3000
- Время задержки отключения типичного:30 ns
- Время типичного задержки включения:9 ns
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:NVLJWS5
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:18A (Ta), 77A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:onsemi
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta), 45W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Серия:NVLJWS5D0N03CL
- Пакетирование:Reel
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4.2mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1350 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:20 nC @ 10 V
- Время подъема:4 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 2439
Итого $0.00000