(0)
Изображение служит лишь для справки
T1G2028536-FL
-
Qorvo
-
Транзисторы - JFET
- NI-780
- RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Date Sheet
Lagernummer 666
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：NI-780
- РХОС：Details
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：36 V
- Тепловая напряжённость разрыва управляющего источника：145 V
- Id - Непрерывный ток разряда：24 A
- Максимальное напряжение контроля канала：48 V
- Максимальная рабочая температура：+ 275 C
- Распад мощности：288 W
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Чувствительный к влажности：Yes
- Пакетная партия производителя：25
- Партийные обозначения：T1G2028536 1111394
- Вес единицы：0.526067 oz
- Пакетирование：Tray
- Серия：T1G2028536
- Тип：GaN SiC HEMT
- Частота работы：2 GHz
- Конфигурация：Single
- Выводная мощность：260 W
- Тип транзистора：HEMT
- Увеличение：20.8 dB
- Продукт：RF Power Transistor
Со склада 666
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
