(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP110N20NAXK
Изображение служит лишь для справки
IPP110N20NAXK
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
Date Sheet
Lagernummer 281
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Количество контактов：3
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：200 V
- Id - Непрерывный ток разряда：88 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：9.9 mOhms
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Зарядная характеристика ворот：87 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Распад мощности：300 W
- Режим канала：Enhancement
- Торговое наименование：OptiMOS
- Пакетная партия производителя：500
- Время задержки отключения типичного：41 ns
- Время типичного задержки включения：18 ns
- Партийные обозначения：SP000877672 IPP110N20NAAKSA1
- Вес единицы：0.068784 oz
- Время отключения：41 ns
- Серия：OptiMOS 3
- Пакетирование：Tube
- Максимальная рабочая температура：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：300 W
- Время подъема：26 ns
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Непрерывный ток стока (ID)：88 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
- Напряжение пробоя стока к истоку：200 V
- Сопротивление стока к истоку：10.7 mΩ
- Высота：15.65 mm
- Длина：10 mm
- Ширина：4.4 mm
Со склада 281
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
