(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TSM110NB04LCV RGG
Изображение служит лишь для справки
TSM110NB04LCV RGG
-
Taiwan Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerWDFN
- MOSFET 40V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 10017
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-PDFN (3.15x3.1)
- РХОС：Details
- Пакетная партия производителя：5000
- Партийные обозначения：TSM110NB04LCV
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта：TSM110
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Ta), 44A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Taiwan Semiconductor Corporation
- Максимальная мощность рассеяния：1.9W (Ta), 42W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Серия：TSM110NB04LCV
- Пакетирование：Reel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11mOhm @ 9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1329 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 10017
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
