(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFT60N20F
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：60
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм)：38@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：100@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：100
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2930@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：320000
- Время падения типового (ns)：7
- Время подъема типового сигнала (нс)：14
- Время задержки отключения типовая (сек)：42
- Время задержки включения типового (ns)：15
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：5.1(Max)
- Ширина пакета：14(Max)
- Длина корпуса：16.05(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-268-AA
- Поставщикская упаковка：TO-268
- Форма вывода：Gull-wing
- Состояние изделия：Obsolete
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
