(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFT140N10PTRL
Изображение служит лишь для справки
IXFT140N10PTRL
Lagernummer 28
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-268-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：140
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：155@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：155
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：4700@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：600000
- Время падения типового (ns)：26
- Время подъема типового сигнала (нс)：50
- Время задержки отключения типовая (сек)：85
- Время задержки включения типового (ns)：35
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：5.1(Max)
- Ширина пакета：14(Max)
- Длина корпуса：16.05(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-268
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Распад мощности：600 W
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Монтажные варианты：Through Hole
- Зарядная характеристика ворот：155 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：11 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：140 A
- Пакетирование：Tape and Reel
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 28
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
