Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.29.00.95
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:3
- Максимальное напряжение источника тока (В):60
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):10
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):460@10V@N Channel|1200@10V@P Channel
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):5000
- Время падения типового (ns):55@N Channel|100@P Channel
- Время подъема типового сигнала (нс):110@N Channel|170@P Channel
- Время задержки отключения типовая (сек):90@N Channel|180@P Channel
- Время задержки включения типового (ns):25@N Channel|50@P Channel
- Минимальная температура работы (°C):-40
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Through Hole
- Высота корпуса:16
- Ширина пакета:4.8
- Длина корпуса:31.5(Max)
- Плата изменена:12
- Tab:Tab
- Стандартное наименование упаковки:SIP
- Поставщикская упаковка:SIP
- Форма вывода:Through Hole
- Количество элементов:3
- РХОС:Compliant
- Состояние изделия:Active
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Максимальная потеря мощности:5 W
- Число контактов:12
- Конфигурация:Triple
- Распад мощности:5 W
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Непрерывный ток стока (ID):10 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20 V
- Входной ёмкости:460 pF
- Канальный тип:N|P
- Rds на макс.:140 mΩ
Со склада 0
Итого $0.00000