Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFH30N60P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 326
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.29.00.95
- СВХК:Yes
- Превышает Порог SVHC:Yes
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):600
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):30
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм):240@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):82@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):82
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):4000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):500000
- Время падения типового (ns):25
- Время подъема типового сигнала (нс):20
- Время задержки отключения типовая (сек):80
- Время задержки включения типового (ns):29
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Through Hole
- Высота корпуса:21.46(Max)
- Ширина пакета:5.3(Max)
- Длина корпуса:16.26(Max)
- Плата изменена:3
- Tab:Tab
- Поставщикская упаковка:TO-247AD
- Состояние изделия:Active
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Канальный тип:N
Со склада 326
Итого $0.00000