(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFK200N10P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 249
- 1+： $13.46382
- 10+： $12.70171
- 100+： $11.98275
- 500+： $11.30448
- 1000+： $10.66460
Zwischensummenbetrag $13.46382
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：200
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：235@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：235
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：7600@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：830000
- Время падения типового (ns)：90
- Время подъема типового сигнала (нс)：35
- Время задержки отключения типовая (сек)：150
- Время задержки включения типового (ns)：30
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：26.16(Max)
- Ширина пакета：5.13(Max)
- Длина корпуса：19.96(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-264
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 249
- 1+： $13.46382
- 10+： $12.70171
- 100+： $11.98275
- 500+： $11.30448
- 1000+： $10.66460
Итого $13.46382
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
