Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-247-3
  • Евро РОШ:Compliant with Exemption
  • ЭККН (США):EAR99
  • СВХК:Yes
  • Превышает Порог SVHC:Yes
  • Автомобильные:No
  • Пакет подготовки для производства:No
  • Категория:Power MOSFET
  • Режим канала:Enhancement
  • Число элементов на чипе:1
  • Максимальное напряжение источника тока (В):70
  • Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
  • Максимальный непрерывный ток утечки (А):76
  • Максимальное сопротивление источника тока (мОм):12@10V
  • Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):240@10V
  • Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):240
  • Типовая емкость входа @ Vds (пФ):4400@25V
  • Максимальная мощность рассеяния (мВт):360000
  • Время падения типового (ns):55
  • Время подъема типового сигнала (нс):70
  • Время задержки отключения типовая (сек):130
  • Время задержки включения типового (ns):40
  • Минимальная температура работы (°C):-55
  • Максимальная температура эксплуатации (°C):175
  • Монтаж:Through Hole
  • Высота корпуса:21.46(Max)
  • Ширина пакета:5.3(Max)
  • Длина корпуса:16.26(Max)
  • Плата изменена:3
  • Tab:Tab
  • Поставщикская упаковка:TO-247AD
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:70 V
  • Распад мощности:360 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 175 C
  • Усв:- 20 V, + 20 V
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:12 mOhms
  • Id - Непрерывный ток разряда:76 A
  • Серия:HiPerFET
  • Состояние изделия:NRND
  • Технология:Si
  • Число контактов:3
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Канальный тип:N

Со склада 0

Итого $0.00000