Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFH76N07-12
Изображение служит лишь для справки
IXFH76N07-12
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- ЭККН (США):EAR99
- СВХК:Yes
- Превышает Порог SVHC:Yes
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):70
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):76
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм):12@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):240@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):240
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):4400@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):360000
- Время падения типового (ns):55
- Время подъема типового сигнала (нс):70
- Время задержки отключения типовая (сек):130
- Время задержки включения типового (ns):40
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):175
- Монтаж:Through Hole
- Высота корпуса:21.46(Max)
- Ширина пакета:5.3(Max)
- Длина корпуса:16.26(Max)
- Плата изменена:3
- Tab:Tab
- Поставщикская упаковка:TO-247AD
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:70 V
- Распад мощности:360 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:Through Hole
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:12 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:76 A
- Серия:HiPerFET
- Состояние изделия:NRND
- Технология:Si
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Канальный тип:N
Со склада 0
Итого $0.00000