(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFH7N100P
Изображение служит лишь для справки
IXFH7N100P
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：1000
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：7
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：47@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：47
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2590@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：300000
- Время падения типового (ns)：44
- Время подъема типового сигнала (нс)：49
- Время задержки отключения типовая (сек)：42
- Время задержки включения типового (ns)：25
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：21.34(Max)
- Ширина пакета：5.21(Max)
- Длина корпуса：16.13(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-247
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1 kV
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Распад мощности：300 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Зарядная характеристика ворот：47 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.9 Ohms
- Id - Непрерывный ток разряда：7 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
