(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFN180N25T
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 419
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：250
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：168
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм)：12.9@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：364@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：364
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：23800@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：900000
- Время падения типового (ns)：20
- Время подъема типового сигнала (нс)：52
- Время задержки отключения типовая (сек)：88
- Время задержки включения типового (ns)：35
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Высота корпуса：9.6(Max)
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Стандартное наименование упаковки：SOT
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Форма вывода：Screw
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Канальный тип：N
Со склада 419
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
