Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFT180N20X3HV
Изображение служит лишь для справки
IXFT180N20X3HV
Lagernummer 52
- 1+: $12.08477
- 10+: $11.40073
- 100+: $10.75540
- 500+: $10.14661
- 1000+: $9.57227
Zwischensummenbetrag $12.08477
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.29.00.95
- СВХК:Yes
- Превышает Порог SVHC:Yes
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):180
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм):7.5@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):154@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):154
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):10300@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):735000
- Время падения типового (ns):12
- Время подъема типового сигнала (нс):28
- Время задержки отключения типовая (сек):100
- Время задержки включения типового (ns):30
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Surface Mount
- Высота корпуса:5.1(Max)
- Ширина пакета:14(Max)
- Длина корпуса:16.05(Max)
- Плата изменена:2
- Tab:Tab
- Поставщикская упаковка:TO-268HV
- Состояние изделия:Active
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Канальный тип:N
Со склада 52
- 1+: $12.08477
- 10+: $11.40073
- 100+: $10.75540
- 500+: $10.14661
- 1000+: $9.57227
Итого $12.08477