(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTA6N100D2
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 49
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Depletion
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：1000
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：95@5V
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2650@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：300000
- Время падения типового (ns)：47
- Время подъема типового сигнала (нс)：80
- Время задержки отключения типовая (сек)：34
- Время задержки включения типового (ns)：25
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：4.83(Max)
- Ширина пакета：9.4(Max)
- Длина корпуса：10.41(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-263
- Поставщикская упаковка：D2PAK
- Форма вывода：Gull-wing
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：6A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：300W
- Канальный тип：N
Со склада 49
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
