Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 32

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-247-3
  • Евро РОШ:Compliant with Exemption
  • HTS:8541.29.00.95
  • СВХК:Yes
  • Превышает Порог SVHC:Yes
  • Автомобильные:No
  • Пакет подготовки для производства:No
  • Категория:Power MOSFET
  • Технология производства:HiperFET
  • Режим канала:Enhancement
  • Число элементов на чипе:1
  • Максимальное напряжение источника тока (В):200
  • Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
  • Максимальный непрерывный ток утечки (А):170
  • Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):185@10V
  • Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):185
  • Типовая емкость входа @ Vds (пФ):11400@25V
  • Максимальная мощность рассеяния (мВт):1250000
  • Время падения типового (ns):14
  • Время подъема типового сигнала (нс):25
  • Время задержки отключения типовая (сек):50
  • Время задержки включения типового (ns):40
  • Минимальная температура работы (°C):-55
  • Максимальная температура эксплуатации (°C):175
  • Монтаж:Through Hole
  • Высота корпуса:21.34(Max)
  • Ширина пакета:5.21(Max)
  • Длина корпуса:16.13(Max)
  • Плата изменена:3
  • Tab:Tab
  • Поставщикская упаковка:PLUS 247
  • Непрерывный ток стока:170(A)
  • Дrain-Source On-Volt:200(V)
  • Классификация Температурной Выносливости:Military
  • Формат упаковки:PLUS 247
  • Диапазон рабочей температуры:-55C to 175C
  • Допустимый напряжений на затвор-исток:±20(V)
  • Количество элементов:1
  • Квантовозащитный:No
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:200 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:5 V
  • Распад мощности:1.25 kW
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 175 C
  • Усв:- 20 V, + 20 V
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Зарядная характеристика ворот:185 nC
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:14 mOhms
  • Id - Непрерывный ток разряда:170 A
  • Серия:IXFX170N20
  • Состояние изделия:Active
  • Тип:Power MOSFET
  • Технология:Si
  • Число контактов:3
  • Направленность:N
  • Конфигурация:Single
  • Распад мощности:1250(W)
  • Канальный тип:N

Со склада 32

Итого $0.00000