(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTH120P065T
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 352
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：65
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±15
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：120
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：185@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：185
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：13200@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：298000
- Время падения типового (ns)：21
- Время подъема типового сигнала (нс)：28
- Время задержки отключения типовая (сек)：38
- Время задержки включения типового (ns)：31
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：21.46(Max)
- Ширина пакета：5.3(Max)
- Длина корпуса：16.26(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-247
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：120A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：298W
- Канальный тип：P
Со склада 352
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
