(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTA100N04T2
Изображение служит лишь для справки
IXTA100N04T2
Lagernummer 49
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-263-3
- Евро РОШ：Compliant
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：Unknown
- Пакет подготовки для производства：Unknown
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：TrenchT2
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：40
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：100
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм)：7@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：25.5@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：25.5
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2690@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：150000
- Время падения типового (ns)：6.4
- Время подъема типового сигнала (нс)：5.2
- Время задержки отключения типовая (сек)：15.8
- Время задержки включения типового (ns)：12
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：4.83(Max)
- Ширина пакета：9.65(Max)
- Длина корпуса：10.41(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：D2PAK
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Распад мощности：150 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Зарядная характеристика ворот：25.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：100 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 49
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
