Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTH6N50D2
Изображение служит лишь для справки
IXTH6N50D2
Lagernummer 205
- 1+: $7.35974
- 10+: $6.94315
- 100+: $6.55014
- 500+: $6.17938
- 1000+: $5.82960
Zwischensummenbetrag $7.35974
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- СВХК:Yes
- Превышает Порог SVHC:Yes
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Depletion
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):500
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):96@5V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):96
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):2800@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):300000
- Время падения типового (ns):43
- Время подъема типового сигнала (нс):72
- Время задержки отключения типовая (сек):82
- Время задержки включения типового (ns):28
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Through Hole
- Высота корпуса:21.46(Max)
- Ширина пакета:5.3(Max)
- Длина корпуса:16.26(Max)
- Плата изменена:3
- Tab:Tab
- Поставщикская упаковка:TO-247
- MSL:-
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:6A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:500 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4.5 V
- Распад мощности:300 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:Through Hole
- Зарядная характеристика ворот:96 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:550 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:6 A
- Серия:IXTH6N50
- Состояние изделия:Active
- Технология:Si
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:300W
- Канальный тип:N
Со склада 205
- 1+: $7.35974
- 10+: $6.94315
- 100+: $6.55014
- 500+: $6.17938
- 1000+: $5.82960
Итого $7.35974