(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTA05N100HV
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 109
- 1+： $3.57100
- 10+： $3.36886
- 100+： $3.17817
- 500+： $2.99828
- 1000+： $2.82856
Zwischensummenbetrag $3.57100
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Si
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：1000
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：4.5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：0.75
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：25
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：7.8@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：7.8
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：260@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：40000
- Время падения типового (ns)：28
- Время подъема типового сигнала (нс)：19
- Время задержки отключения типовая (сек)：40
- Время задержки включения типового (ns)：11
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：4.83(Max)
- Ширина пакета：9.65(Max)
- Длина корпуса：10.29(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：D2PAK
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 109
- 1+： $3.57100
- 10+： $3.36886
- 100+： $3.17817
- 500+： $2.99828
- 1000+： $2.82856
Итого $3.57100
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
